炭化ケイ素および関連材料に関する世界最大級の国際会議「ICSCRM 2026」に工学部教員が参加
―次世代パワー半導体材料に関する研究成果を世界へ発信―

関西学院大学（兵庫県西宮市、学長：森康俊）工学部の大谷昇教授、金子忠昭教授が、2026年9月27日（日）から10月2日（金）にかけ、パシフィコ横浜ノースにて開催されるICSCRM 2026（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2026 / シリコンカーバイドおよび関連材料に関する国際会議2026）に参加いたします。
関西学院大学は、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（シリコンカーバイド、SiC）の研究を推進しています。
SiCは従来のシリコン半導体に比べて低損失かつ高耐圧な特性を有し、電気自動車や再生可能エネルギー、AIデータセンターなどの分野で求められる高度な電力制御を実現する材料として注目されています。世界的に電力需要が増加する中、省エネルギー化や脱炭素社会の実現、さらには電力インフラの高度化を支える重要な基盤材料として期待されています。
ICSCRMは、SiCおよび関連材料に関する研究者・技術者が世界中から集う国際会議として1987年から開催されており、これまで、材料開発からデバイス応用まで最先端の研究成果が発表されてきました。
関西学院大学は、ICSCRM 2026で研究成果を発表するとともに、産学連携を通じた社会実装への取組みについても、世界へ発信します。

ICSCRM 2026概要

期間：2026年9月27日（日）～10月2日（金）
　　　※9月27日（日）：チュートリアル
　　　　9月28日（月）～10月2日（金）：技術プログラム・展示会
場所：パシフィコ横浜ノース（神奈川県横浜市西区みなとみらい1-1-1）
規模：参加者見込み　約1,500名（国内900名、海外600名）
　　　展示募集小間　247小間
H P ：https://icscrm2026.org/

関西学院大学による発表概要

＜招待講演＞
日　時：9月29日（火） 10時40分～11時10分
発表者：大谷 昇 教授
演　題：Interactions between point defects/impurities and extended defects during 4H-SiC crystal growth
　　　（4H-SiC結晶成長における点欠陥/不純物と拡張欠陥の相互作用）
※英語による講演

＜研究発表＞
日　時：9月28日（月）～10月2日（金） 
内　容：
【大谷 昇 教授】
物理気相輸送法によって成長させた4H-SiC結晶の各種表面特性など、大谷研究室から4件の研究成果を発表予定。
【金子忠昭 教授】
SiC結晶の特性評価や製造プロセスの高度化、高品質結晶開発、独自の「Dynamic AGE-ing®」技術の発展など、金子研究室から5件の研究成果を発表予定。
※金子教授がCTOを務めるQureDA Research株式会社（https://www.qureda-research.com/）との共同発表となります。

研究者紹介

大谷 昇（おおたに・のぼる）教授
関西学院大学工学部教授。専門分野は半導体材料、欠陥物理、結晶成長であり、SiC単結晶、結晶欠陥の研究に取り組む。
2008年～2017年：本学SiC材料・プロセス研究開発センター長
ICSCRM 2026では組織委員会の副委員長を務める。
https://www.kg-nanotech.jp/professor.php?mode=detail&code=9

金子忠昭（かねこ・ただあき）教授
関西学院大学工学部教授。次世代パワー半導体材料であるSiCの結晶成長技術や高品質結晶の開発を専門とする。
2017年～現在：本学グリーンモビリティ材料開発プロジェクトリーダー
産学連携による研究成果の社会実装を積極的に推進している。
https://www.kg-nanotech.jp/professor.php?mode=detail&code=5