大谷昇・工学部教授が米国・シカゴで開催された248th Electrochemical Society Meetingにおいてシンポジウム・組織委員として参加しました

大谷昇・工学部教授が、2025年10月12日から10月16日にかけ、米国・シカゴで開催された248th Electrochemical Society Meetingにおいて、シンポジウム・組織委員として参加しました。
248th Electrochemical Society Meetingは発表論文数約3,000件、参加人数約6,000人の巨大学会で、その会期中に約50のシンポジウムが開催されました。大谷教授が参加したシンポジウムは、「GaN and SiC Power Technologies 15」 （H03）で、招待講演、一般講演合わせて約30件の論文が発表され、約40人の参加者がありました。最近のトレンドとして、SiC、GaNといった実用化を迎えつつあるワイドギャップ半導体に加えて、AlN、Ga2O3、ダイヤモンドといったより大きなバンドギャップを有する超ワイドギャップ半導体に関する論文も多く発表されました。これらの超ワイドギャップ半導体は、まだ基礎的・原理検証的な論文が多いなか、将来的なポテンシャルを感じるさせる論文も数多くありました。