極限パワー半導体材料・デバイス研究室

鹿田 真一 (しかた しんいち) 教授

極限パワー半導体材料・デバイス研究室

研究分野:
超ワイドギャップ半導体、省エネパワーデバイス
研究室サイト

研究テーマ

 CO2半減に向けて、「電力変換損失低減」と、乗り物や機器の動力でこれまで捨てていた運動・位置エネルギーから電気を生み出す「電力回生」が、21世紀の最重要課題となっています。再生可能エネルギーを有効に使うためにも必須の課題です。その鍵を握るのが、インバータなどワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスです。当研究室では、ダイヤモンドなど究極の特性を有する半導体材料とそのデバイスの研究を進めています。

具体的に行っている研究活動

 基板となるウェハとエピ膜(動作層)について、パワーデバイスの致命傷となる転位欠陥の観察・同定と、その低減が必須です。研究室では、メタンと水素を用いて、ガスからダイヤモンドの合成を行い、放射光施設のX線トポグラフィを用いて転位観察したり、実験とその解析を行っています。デバイスに関して、動作層を形成する不純物ドーピングに関する研究、欠陥のデバイスへの影響調査などを行い、高性能デバイスを目指しています。

研究室の風景

 様々な種類の設備を使うので、研究室内、学内は元より、放射光など公的機関の大規模施設など、先輩の学生も東奔西走しています。一人で実験を行うことが多く、自立心高いのが特徴です。修士の学生で、何百人の前で国際学会発表をしたり、学術論文を執筆したり、大いに活躍しています。就職は、テーマに沿った、大手の電機・電子部品・自動車部品メーカーなどです。